社名変更およびホームページアドレス(URL)変更のお知らせ

平素は格別のご高配を賜り、厚く御礼申し上げます。
この度、アールエムテック株式会社は2026年4月1日付で社名を「吉川トレーディング株式会社」へと変更いたしました。
社名変更に伴い、ホームページアドレスも下記の通り変更しております。

旧URL:https://www.rmtec.co.jp

新URL:https://yoshikawa-td.com

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今後とも変わらぬご愛顧を賜りますようお願い申し上げます。

PRODUCTS

ガスクラスターイオンビーム(GCIB)応用装置

ガスクラスターイオンビーム(GCIB)応用装置

GCIB応用装置とは

ナノ加工・表面改質を実現する特注ソリューション

ガスクラスターイオンビーム(GCIB)ソースの特性を最大限に活かし、お客様のご要望に応じて設計・製造するカスタム応用装置です。非接触、ドライプロセス、低温、低ダメージのナノレベル平滑化処理を実現します。

GCIBの特性と役割

本装置は、ガスクラスターイオンビーム(GCIB)を使用し、スキャンステージ上の基板表面平滑化エッチングを行います。従来の加工技術で困難だった以下の効果を実現します。

  1. 超低エネルギー照射による無損傷加工
  2. ラテラルスパッタ効果による超平坦化(Ra数ナノメートル)
  3. 高品位薄膜形成、表面改質

装置の特長

高い設計柔軟性によるカスタム対応

ガスクラスターイオンビーム装置設計時からお客様のご要望を可能な限り反映させ、お客様だけの特注の研究・量産設備に仕上げます。基板サイズ、試料重量、回転機構、入射角など、被対象物にあわせてステージを作製し、X-Y-Z調整が可能です。

高均一・クリーンプロセスとコンタミ防止

ガスクラスターイオン生成室とビーム照射室が分かれているため、照射雰囲気は10⁻³Pa台の高真空に保たれます。これにより、コンタミ発生やプラズマダメージを対象物表面に与えることなく、高均一な加工が可能です。

広範なプロセスガス・温度への対応

対象物の加工条件によって、N₂, O₂, CO₂, SF₆, CF₄, CHF₃, B₂H₆などの反応性ガスでのクラスタービーム照射が可能です。また、基板表面温度100°C以下での加工を実現します。

低損傷・ナノ平滑化と特許技術

クラスターイオンの多体衝突効果(例: 8keV/2000atoms@cluster=4eV)による低損傷加工を実現。吉川トレーディング特許の磁場電極により、クラスターイオン以外の単原子イオンなどを除去し、高純度ビームを生成します。

GCIB装置の一例

チャンバー内寸 約1200W x 990D x 900H
排気系 TMP 2台、到達真空度1e-4Pa以下(排気速度5e-4Pa迄3時間以上)
ステージ 5軸まで対応可能(X, Y, Z, θ, 自転)、8インチウェハ搭載、最大10kg
構成品例 GCIBソース(モノマーイオン除去・中和機能付き)、ファラデーカップ、基板シャッター

GCIBソース(モノマーイオン除去・中和機能付き)

GCIBソース

照射・応用事例

ガスクラスターイオンビーム(GCIB)照射・応用事例

GCIB の優れた加工能力を、実際の応用事例を通じてご紹介します。

ダイヤモンドへのGCIB照射加工例

照射前

照射後

CVD ダイヤモンドの平滑化加工例

照射前と比較して、CVD ダイヤモンド表面の粗さを劇的に改善し、超平坦化 を実現した事例。

ご提供:京都大学名誉教授 山田公氏

タングステンカーバイド金型表面へのGCIB照射加工例

SF₆-GCIB照射による金型表面の エッチング加工事例。微細パターンの形成や表面改質の効果をご確認いただけます。

GCIB照射前

GCIB照射後

SF6-GCIB照射例WCエッチングNiマスク

パターン寸法:穴径約60um スペース90um エッチング深さ約16um

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