社名変更およびホームページアドレス(URL)変更のお知らせ

平素は格別のご高配を賜り、厚く御礼申し上げます。
この度、アールエムテック株式会社は2026年4月1日付で社名を「吉川トレーディング株式会社」へと変更いたしました。
社名変更に伴い、ホームページアドレスも下記の通り変更しております。

旧URL:https://www.rmtec.co.jp

新URL:https://yoshikawa-td.com

お手数ですが、ブラウザの「お気に入り」や「ブックマーク」にご登録いただいている場合は、新しいURLへの登録変更をお願いいたします。
今後とも変わらぬご愛顧を賜りますようお願い申し上げます。

PRODUCTS

KRI社イオンソース

KRI社イオンソース

装置概要

Dr. Kaufman開発
クリーニングから成膜までを支えるKRI社製イオンソース

Dr. Kaufman開発の米国KRI社製イオンソースを販売・取り付けいたします。クリーニング、スパッタ、エッチング等、幅広い用途に適応します。

KRI Kaufman&robinson Ion Beam Authority

カウフマン型イオン源、そしてハロルド・カウフマン博士

当社のイオンビーム関連装置の核となる技術は、カウフマン型イオン源であり、その分野で大きな影響力を持つのが、創設者のハロルド・カウフマン博士です。

ハロルド・カウフマン博士

カウフマン博士はNASA勤務時代の研究を基にカウフマン型ブロードイオン源を開発し、航空宇宙のみならず、広く、電気・電子の分野においてもイオンビームエッチング、イオンビームスパッタのイオン源として使用されるようになりました。

デビッド・A・カウフマン博士
  • 1971年コロラド州立大学で博士号を取得
  • 1978年から退職までコロラド州立大学物理学部長を務める
  • 1978年に大学を退職し、Kaufman & Robinson, Inc. を設立
デビッド・A・カウフマン博士

カウフマン博士は2016年にNASAグレン研究センターの殿堂入りを果たしました。NASAはKRI®の創設者をイオン推進の先駆者として称え、「試験で実証されただけでなく、現在も宇宙で使用されている実験的な宇宙飛行用ハードウェアシステムを発明したという、稀有な功績を持つ人物」として紹介されています。

イオンソースの種類と特長

KRI社のイオンソースは、用途と要求されるプロセス環境に応じて選択できます。

エンドホールタイプイオンソース

用途 IADプロセス、プレクリーニング等の超高圧大電流イオンビームプロセスに最適。ダメージの少ないエッチング、クリーニング、イオンアシスト蒸着が可能。
特長 大電流アシスト効果により光学特性が向上。HCES使用で酸素ビームアシスト長時間照射が可能。水冷機構により低温成膜プロセスに対応し、既存装置へ後付け導入も容易。
導入分野 光学分野、レーザー端面、光通信用フィルター、量子デバイス。

グリッドタイプイオンソース

用途 エッチング、スパッタリング、プレクリーニング用途に使用。高品質光学膜成膜や、磁性材料・金属膜などのエッチング(ミリング)に利用。
特長 イオンソース内にプラズマを封じ込めるため、低コンタミ、高動作真空度10-2Pa台を実現。プラズマ放電方式はDCまたはRFから選択可能。

グリッドタイプ RFイオンソース

モデル RFICP40 RFICP100 RFICP140 RFICP220 RFICP380
ビーム電流 mA >100 >350 >600 >800 >1,000
ビーム電圧 V 100~1200 100~1200 100~1200 100~1200 100~1200
ビーム出力径 4cmφ 10cmφ 14cmφ 20cmφ 38cmφ
長さ cm 12.7 23.5 24.6 30 39
外径 cm 13.5 19.1 24.6 41 59
取付フランジ 8″CF 10″CF 12″CF 12″CF 12″CF

グリッドタイプ DCイオンソース

モデル KDC10 KDC40 KDC75 KDC100 KDC160
ビーム電流 mA >10 >100 >250 >400 >650
ビーム電圧 V 100~1200 100~1200 100~1200 100~1200 100~1200
ビーム出力径 1cmφ 4cmφ 8cmφ 12cmφ 16cmφ
長さ cm 11.5 17.1 20.1 23.5 25.2
外径 cm 4 9 14 19.4 23.2
取付フランジ 2-3/4″CF 6″CF 8″ or 10″CF 10″ or 12″CF 12″CF

KRI社DC電源

DC電源

性能 ・パルスDC用3000W電源
・0~1000V、最大10A
特長 ・100ns未満のアーク検出、1usの緩和時間
・最大150Vまで調整可能な逆電圧
・可変動作周波数・超低アークエネルギー

非パルスDC電源

性能 ・パルスDC用最大1500W電源
・0~1000V、最大4A
特長 ・200ns未満のアーク検出、1usの緩和時間
・優れたアーク検出性能
・超低アークエネルギー

エレクトロンソース(電子銃)

イオンビームプロセスを補完するエレクトロンソース(電子銃)を提供しています。
この装置は、電子放出を目的としています。

エレクトロンソース

性能・導入分野 ・イオンエンジン開発
・MPDスラスタ開発
・各種イオンソースに取付
タイプ ・ホロカソードタイプ
・フィラメント内蔵タイプ
・RFタイプ
Product SHC1000
(selective uses)
MHC1000 LHC1000 LFN2000
Type Hollow cathode Hollow cathode Hollow cathode Low AC Frequency
Plasma coupling Yes Yes Yes Yes
IE max 5A 10A 20A 1A
VB < 50eV < 50eV < 50eV < 50eV
Insert life* 100 to 500 hrs 200 to 800 hrs 200 to 1000 hrs 200 to 600 hrs
Typical flows (Ar) 5-10sccm 5-10sccm 5-20sccm 4-6sccm
Width 1.51” 2.3” 2.3” 2.3”
Length 2.85” 3.6” 4.6” 1.65”
Mounting Internal remote Internal remote Internal remote Internal remote
Installations eH, RFICP, KDC, anode layer, cathodes, thrusters eH, RFICP, KDC, anode layer, cathodes, thrusters eH, RFICP, KDC, anode layer, cathodes, thrusters RFICP, KDC, anode layer, cathodes
Process Etch, Deposition, Space Etch, Deposition, Space Etch, Deposition, Space Etch, Deposition

*Process Pressure: 2~4 x 10-2Pa

RFニュート
ラライザー
RFN3000

出力 2.5A
酸素ビーム環境対応

保守サポート

データベースを活かした迅速かつ確実なメンテナンスを実行し、多くのお客様に信頼をお届けしています。

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