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イオンビームエッチング／ミリング装置
イオンビームエッチング／ミリング装置
装置概要
イオンビームエッチング装置（IBE装置）
超微細加工とテーパー加工を実現するカスタムIBE装置
本装置はDCまたはRFイオンソースを使用し、基板回転冷却シングルステージを搭載したイオンビームエッチング／ミリング装置（IBE/IBM装置）です。コンパクト設計で優れた操作性と高い将来性を両立しています。
用途・
導入分野
用途
センサー、SAWデバイス、薄膜磁気ヘッド、MEMS、電子顕微鏡サンプル作成など
導入分野
研究開発、試作品開発、少量生産
装置の特長
高い加工性能と低温・クリーンプロセス
微細加工が難しいAu,Pt,磁性材料の加工。
基板表面温度100℃以下での処理が可能。
有毒ガスを使用しないため、排ガス処理が不要なクリーンプロセスです。
テーパー加工、斜め照射ミリングが容易に行える柔軟な加工性。
装置の柔軟な構成と選択肢
エッチング用イオンソース
DCまたはRFイオンソースから選択。ビーム径は3cmから36cmまで選択可能。基板表面温度100℃以下での処理が可能。
真空チャンバー
バッチ式またはLL（ロードロック）選択可能。
ステージ
シングルまたはプラネタリー（自転/公転）選択可能。水冷機構、自転/公転、入射角度可変、不定形基板対応。
排気系
主排気：TMPまたはCryo。荒引：ドライポンプまたはロータリー。
オペレーションとプロセス管理
省スペース化架台内に全構成品を収納。
液晶タッチパネル＆PLC制御により、イージーオペレーションを実現。
自動排気、プロセスの自動化等レシピ設定可能。
エラー表示及びデーターロギング機能により、安定したプロセス管理をサポートします。
エンドポイント検出機能（光またはQマスタイプ）の搭載が可能。
標準仕様
| 対応基板 | 最大φ4インチ |
|---|---|
| 基板ステージ | 自転、入射角度（0〜±90°）可変 |
| ステージ冷却 | ドライチャック、空冷式チラー |
| イオンソース | 米国KRI社製 カウフマンイオンソース KDC40 |
| ビーム仕様 | ビーム電圧100 – 1200V、電流最大100mA |
| グリッド | セルフアライメント TMMo製 2枚4cmグリッド |
| 真空排気系 | 大気圧から10-4Pa台まで30分以内（標準でターボ分子ポンプ、RP、広帯域真空ゲージ、ゲートバルブレス構造） |
| チャンバー | SUS製φ410XL280mm、ビューポート付き |
| 制御系 | 7インチタッチパネル & PLC制御 |
| 寸法、重量 | 780mm(W)×950mm(L)×1700mm(H)以内、約500kg |
オプション
各種グリッド（Mo、カーボン、発散、収束及びコリメート）
エッチング均一性向上（KDC75)及び各種ニュートラライザー
イオンビームデポジション（IBS)装置へのステップアップ
ゲートバルブ追加、ドライポンプへの変更
エンドポイント機能（光またはQマスタイプ）
※基板の複数枚処理（自転公転ステージ）及び簡易LL機構を搭載した、Kシリーズ及び、Lシリーズもございます。
必要諸元
3相AC200V,15A
Arガス(プロセス用)
N2ガス(チャンバーベント用)
圧縮空気(バルブ駆動用)
